收藏本站
ZXMHC10A07T8
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 2 - JUNE 2005
SEMICONDUCTORS
8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXMHC3A01N8TC MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
ZXMHC3F381N8TC MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC
ZXMHC6A07N8TC MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
ZXMHC6A07T8TA MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8
ZXMHN6A07T8TA MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8
ZXMN0545G4TA MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
ZXMN10A07FTC MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
ZXMN10A07ZTA MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
相关代理商/技术参数
ZXMHC10A07T8TC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01N8 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC3A01N8TC 功能描述:MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMHC3A01T8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01T8TA 功能描述:MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMHC3A01T8TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3F381N8 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC3F381N8TC 功能描述:MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube